Проектирование РЧ усилителя класса Е с АМ, Ку=35 дб, P=400 Вт, F=13,56 мГц

#RF_ClassE #DigitalCAT_electronics Обзор проектирования РЧ усилителя класса Е (RF class E power amp) с амплитудной модуляцией имеющего коэффициент усиления по мощности 35 дБ работающего на несущей частоте 13,56 мГц со средней выходной мощностью 400 Вт. Тема проектирования усилителя класса Е даже на LF очень обширный материал и, конечно в столь кратком обзоре нельзя изложить ни теории усилителей класса Е, ни рассказать о вариантах включения резонансных контуров и граничных режимах работы. В обзоре вы найдете: краткий обзор литературы годной для практического применения инженерами практиками не обладающими навыками HFA анализа и глубокими знаниями математического аппарата. Критерии выбора ключевого прибора, основные расчетные соотношения для случая классического идеализированного ZVS ZDS усилителя класса Е. Обзор электронных компонентов, схемных решений и выбор магнитопровода катушки индуктивности последовательного колебательного контура. Проектируемое устройство в состав которого входит рассматриваемый в обзоре усилитель класса Е предназначено для возбуждения плазменного разряда в газовой среде низкого давления. Прибор для проведения биофизических экспериментов. Выходной импеданс усилителя согласован с 50 Ом нагрузкой, конечно, разряд в газовой среде низкого давления не будет представлять из себя 50 Ом с компенсированной мнимой частью комплексного сопротивления, но проектирование согласующего устройства - тема отдельного обзора. Помимо собственно усилителя, в устройство входит генератор несущей частоты, драйвер ключевого усилителя, амплитудный ключевой модулятор и его драйвер, схема гальванической развязки и смещения уровня для драйвера верхнего плеча - АМ модулятора, узел измерения мощности и КСВ по схеме Tandem Match с двумя Log Amp(ами) для отраженной и прямой волны соответственно обеспечивается направленность не ниже 35 дБ. Изолированный источник питания для драйвера верхнего плеча. Да, вы не ослышались это не опечатка, в ключевых усилителях класса Е возможна амплитудная модуляция несущей. Амплитудная модуляция осуществляется напряжением источника питания на сток ключевого MOSFET RF Power AMP. Глубина амплитудной модуляции близка к 100%. Частотный диапазон модулирующего сигнала - 2Гц - 200 кГц. В данном приборе нет необходимости передать огибающую или не искаженный синусоидальный сигнал. Элементная база устройства: MOSFET RF Power amp - Lite Fuse (IXYS) DE275-102N06 Low side MOSFET Driver - IXRFD631 MOSFET Switch AM - IXFB132N50P3 Наш канал: