Основы моделирования полупроводниковых систем в COMSOL Multiphysics®: версия 5.6

Актуальность и необходимость моделирования широкого класса полупроводниковых устройств и эффектов не вызывает сомнения. Пакет COMSOL Multiphysics® за счет модуля Полупроводники содержит функционал для макроскопического дрейфово-диффузионного описания полупроводниковых структур (с размерами от 50нм), и для квантовомеханического расчета нанометровых систем. В рамках макроскопического описания, основанного на совместном решении электростатики и транспортных уравнений переноса электронов и дырок в полупроводниковом материале, возможно проведение моделирования различных устройств и систем, в частности p-n переходов, гетеропереходов, p-i-n-диодов, диодов Шоттки, полевых транзисторов (MOSFET & MESFET) и конденсаторов, фотоэлементов, светодиодов, фотодиодов и т.п. При этом доступно использование различных статистик носителей, моделей подвижности, инструментов задания и учета рекомбинации и генерации, оптических переходов, ионизации, сужения запрещенных зон, туннелирования и т.п. Инструменты программы также