Анализ тестовых микрополосовых линий на TDR характеристики в Ansys SIwave

Введение в Ansys SIwave. Уровень – начальный. Показывается применение программы ЭМ-моделирования Ansys SIwave на 4 тестовых примерах (модели микрополосковой линии) для получения их TDR-характеристик при анализе в частотной области. Дается первичное знакомство с пакетом Ansys SIwave. Рассматривается работа со стеком слоев, подстэком межслойных отверстий (т.н. VIA-переходов). Показана работа с графическим редактором (рисование моделей сигнальных линий, полигонов земли/питания). Назначение СВЧ-портов. После результатs ЭМ-моделирования передаются Sii-параметры в утилиту Ansys Slwave Reporter и получаются TDR-характеристики. Дано сравнение двух типов задания на ЭМ расчет в частотной области (с верхней частотой анализа равной или меньшей частоте отсечки Fknee). Моделирование и Цифровые Двойники: SDT eLearning: Инженерно-технический журнал CADFEM Review: Присоединяйтесь к нам в соцсетях: © АО «Моделирование и цифровые двойники»