Планарная технология. Особенности корпуса D-Pak

Планарная технология – это совокупность технологических операций, проводимых для получения полупроводниковых приборов с электронно-дырочными переходами, границы которых выходят на одну и ту же плоскую поверхность пластины и находятся под слоем защитного диэлектрического покрытия. Планарная технология обеспечивает одновременное изготовление в едином технологическом процессе большого числа дискретных полупроводниковых приборов или интегральных схем на одной пластине. Чтобы гарантировать требуемые параметры транзисторов, выполненных в корпусах для поверхностного монтажа, необходимо обеспечить высокое качество посадки кристаллов на кристаллоноситель. Один из оптимальных вариантов конструктивно-технологического исполнения транзисторов в корпусе D-Pak, отличающийся стабильностью и воспроизводимостью тепловых параметров. При сборке транзисторов в пластмассовом корпусе D-Pak для поверхностного монтажа с повышенной мощностью рассеивания применяют посадку кристалла с помощью припойной прокладки. В качестве кристаллодержателя и теплоотвода применяют медные сплавы с высокой теплопроводимостью. Методы монтажа кристаллов на выводные рамки обеспечивают высокую прочность соединений при термоциклировании и механических нагрузках, низкое электрическое и тепловое сопротивление, минимальное механическое воздействие на кристалл и отсутствие загрязнений. При монтаже кремниевых кристаллов на основание из медного сплава возникают внутренние напряжения, превышающие допустимый уровень напряжения изгиба кремния, в результате чего возникают микротрещины в кристалле. Выбор оптимальной толщины кристалла позволяет уменьшить возникающие деформации. Предложен оптимальный вариант конструктивно-технологического исполнения транзисторов в корпусе D-Pak, предназначенных для поверхностного монтажа и обладающих высокой надежностью в условиях температурных воздействий процессов групповой пайки при толщине паяного соединения не менее 8 мкм. Это так же непосредственная посадка кристалла на легкоплавкий припой вибрационной пайкой, защита кристалла эластичным компаундом и глубина необходимой формовки в пределах не хуже ± мм.